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「半导体后工程第yi一篇」半导体测试的理解（1/11）

半导体工艺分为制造晶片和刻录电路的前工程、封装芯片的后工程。两个工程里后工程在半导体细微化技术逼近临界点的当下，重要性越来越大。特别是作为能够创造新的附加价值的核he心技术而备受关注，往后总共分成十一章节跟大家一起分享。1.半导体后工序为了制造半导体产品，首先要设计芯片（chip），使其能够实现想要的功能。然后要把设计好的芯片制作成晶圆（wafer）形式。晶圆由芯片重复排列组成，仔细观看完工后的晶圆是网格形状。一格就是一个芯片。芯片尺寸大，一个晶圆上所制造的芯片数量少，反之芯片尺寸数量就多。半导体设计不属于制造工艺，所以简述半导体制造工艺的话，依次是晶片工艺、封装工艺和测试。因此半导体制造的前端（Front End）工序是晶圆制造工序，后端（Back End）工序是封装和测试工序。在晶圆制造工艺内也区分前端、后端，在晶圆制造工艺内，前端通常是指CMOS制程工序，后端是金属布线工序。 由于引线框架是在金属板上通过冲压或蚀刻等方式制作布线形态，因此比起制造过程相对复杂的基板型价格更低。黄浦区导电胶厂商

维修(Repair)修复是主要在存储半导体中执行的工序，多余的单元代替不良单元的修复算法（Repair Algorithm）。例如，如果DRAM 256bit内存的晶片测试结果显示有1bit不合格，那么这款产品就是255bit。但当多余的单元取代劣质单元后，又成为满足256bit并可销售给客户的良品。通过修复，蕞终提高了产量。因此，存储芯片在设计时会产生多余的单元，以便根据测试结果进行替代。但是为了应对不良现象，制作多余的单元就会占用空间，增加芯片的大小。因此，不可能产生很多的单元格。因此考虑工艺能力，制作出能蕞da程度体现良率增加效果的多余单元。也就是说如果工艺能力好，劣质少，就可以少做多余的单元，如果工艺能力不好，预计劣质多，就会多做多余的单元。阳江智能导电胶哪里好导电胶测试垫片的优势在哪？

电气参数监控 EPM(Electrical Parameter Monitoring)测试的目的是筛选出不良产品，但也有反馈正在开发或量产的产品缺陷并加以改进。比起筛选不良，EPM的主要目的是评估分析产品的单位元件的电气特性，并将其反馈到晶圆制作工艺中。是指在制成的晶圆进行正式测试之前，检查其是否满足设计部门-元件部门提出的产品基本特性的过程，是用电方法测量晶体管特性、接触电阻等的工序。从测试角度看，可以利用元件的电气特性提取DC参数（Parameter），并监控各个单元元件的特性。

关于半导体工艺这点你要知道（7）金属化（metallization）工艺金属薄膜形成方法形成金属薄膜的方法主要有三种：有化学反应形成薄膜的方法化学汽相淀积（CVD/ChemicalVaporDeposition），物***相沉积法（PVD/PhysicsVaporDeposition）。另外为了克服PVD和CVD方法的局限性，通过沉积原子层形成薄膜的原子层沉积（ALD/AtomicLayerDeposition）备受关注。通过这次第7道工序的帖子，我们看到了从晶片制造到电路运作的过程。下一章“半导体？我们应该知道这一点。”我们将带您了解TEST&Packaging，这是成为完美半导体的***一步。谢谢大家！这样的部署也改善了基板封装的电气特性。在封装尺寸方面.

「半导体后工程第二篇」半导体封装的定义和作用（2/11）

半导体工艺分为制造晶片和刻录电路的前工程、封装芯片的后工程。两个工程里后工程在半导体细微化技术逼近临界点的当下，重要性越来越大。特别是作为能够创造新的附加价值的核he心技术而备受关注，往后总共分成十一章节跟大家一起分享。1、半导体封装的定义电子封装技术是与器件的硬件结构相关的技术，硬件的结构由有源元件（如半导体）和无源元件（如电阻、电容器（Capacitor））组成。因此电子封装技术是一项涉及面很广的技术，可分为从零级封装到三级封装的体系。<图1>是从硅晶圆中切割出单个芯片，将其单品化制成模块（Module），再将模块安装在卡或板（Board）上制成系统的整个过程的模式以图表达。整个这样的过程一般用广义的含义来表达，称为封装或组装（Assembly）。把芯片从晶片上切割出来为零级封装，芯片封装为一级封装，将芯片装入模块或电路板上为二级包装，将带有芯片和模块的电路板安装到系统主板上称为三级封装。但广义上半导体行业一般所指的半导体封装，是指在整个过程中jin涉及从晶片中切割到芯片封装的工序。 为了测试封装的半导体芯片，我们把芯片和电气连接在一起的介质称为测试座。阳江178BGA-0.65P导电胶生产厂家

半导体设计不属于制造工艺，所以简述半导体制造工艺的话，依次是晶片工艺、封装工艺和测试。黄浦区导电胶厂商

测试根据待测对象的形态可分为晶片测试、封装测试，但对于测试项目，如[表1]所示，可分为按温度测试、按速度测试、运作模式测试这3种形式。温度测试以测试对象认可的温度为基准。高温测试在产品的规格上的温度范围内，认可高于蕞 da温度10%以上的温度。低温测试认可低于蕞低温度10%的温度，常温测试一般为25℃温度。半导体产品在实际使用时是在各种温度的环境下使用的，所以为了验证在各种温度下是否有动作以及温度上下限。以存储芯片的高温试验标准为85~90℃，低温试验标准为-5~-40℃。运作模式测试可以区分为DC测试、AC测试和功能测试共3个。DC测试是电流，电压参数测试，包括短路测试，开路测试，漏流测试，蕞 da电流，输出驱动电流测试，阈值电压测试。AC测试是与时间有关的电性参数测试，包括传输延迟测试，建立和保持时间测试，功能速度测试，访问时间测试，刷新和暂停时间测试，上升和下降时间测试。功能测试是针对逻辑运算，信号处理，控制，存储发射等进行测试。例如在存储器半导体产品中，检查存储器单元（Memory cell）是否正常工作和存储周围电路在逻辑功能是否正常工作。黄浦区导电胶厂商